Elpida Memory, Japoński producent pamięci DRAM, ogłosił dzisiaj, że zakończono przygotowanie najmniejszych, szybkich i energooszczędnych pamięci DDR3 SDRAM o pojemności 2GBit. Chipy wykonano w 40nm procesie technologicznym.

Nowe układy, dzięki zastosowaniu litografii 40nm i związanemu z tym zmniejszeniu powierzchni pojedyńczego chipu, pozwalają na otrzymanie o 44% większego uzysku z wafla krzemowego w porównaniu do obecnie produkowanych przez Elpidę układów scalonych w technologii 50nm. Wg wiadomości prasowej podanej przez firmę, uzysk z wafla krzemowego wynosi 100%, pamięci używają o 2/3 mniej energii (od obecnych 50nm) pracując na napięciu 1,2V/1,35V. Przy opracowaniu pamięci DRAM w nowym procesie technologicznym skupiono się na jego wydajności przy zachowaniu racjonalnych kosztów. W rezultacie, inwestycja w przejście z 50nm do 40nm prawdopodobnie będzie prawie zerowa. Ponadto, konwersja z 65nm na 40nm może być znakomite ze względu na większą efektywność produkcji porównaną z analogiczną zmianą procesu z 65nm do 50nm. Korporacja ma zamiar wprowadzić produkcję w 40nm aby obciąć koszty związane z produkcją, jednak nadal trwają prace nad zdobyciem większej zdolności produkcyjnej. Wszystko to ma na celu zwiększenie elastyczności Elpidy, która będzie mogła oferować swoim partnerom układy wykonane w różnych procesach technologicznych jednocześnie. Sample inżynieryjne dotrą do partnerów OEM w listopadzie. Wg przewidywań masowa produkcja 40nm ma nastąpić przed końcem roku 2009. Elpida, mając na uwadze prognozy przyszłości rynku pamięci RAM, wierzy, że możliwe będzie produkowanie 50% ogółu układów DDR3 w nowym procesie.

Źródło: TechPowerUp